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  • サムスン電子、20ナノ級DRAM量産開始及び新しくメモリー16ラインを稼動
    サムスン電子は、建設中であったメモリー半導体生産ラインである16ラインを本格的に稼動するとともに、20ナノ級DRAMの量産を開始しました。 2012/01/05
  • トランジスタの接合位置をサブナノメートルの精度で制御
    独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】シリコンナノデバイスグループ 水林 亘 研究員、右田 真司 主任研究員、太田 裕之 主任研究員、昌原 明植 研究グループ長らは、16 nm世代以降のトランジスタに適用できる、新しい金属ソース・ドレイン接合技術を開発した。 2011/12/01
  • 世界初の最先端DRAM、25ナノ世代の最小チップを出荷開始
    エルピーダメモリ株式会社（代表取締役社長兼CEO坂本幸雄、以下、エルピーダ）は、半導体メモリのDRAMとして世界初となる、回路線幅25ナノメートルプロセス世代の超微細加工技術を用いた世界最小サイズのチップのサンプル出荷を開始致しました。 2011/11/01
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